About Us
關(guān)于英唐
英唐智控獲十年專利授權(quán) 與中天弘宇合作關(guān)系持續(xù)深化
所屬分類：公司動(dòng)態(tài) 閱讀次數(shù)：15377 發(fā)布時(shí)間：2021-11-30
2021年11月29日，英唐智控與中天弘宇集成電路有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱“中天弘宇”）簽署了《專利授權(quán)許可合同》（以下簡(jiǎn)稱“《授權(quán)合同》”），中天弘宇將與其新型閃存技術(shù)相關(guān)的5項(xiàng)專利使用權(quán)授權(quán)給英唐智控及其控股子公司、參股子公司用于芯片產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。《授權(quán)合同》的簽署，標(biāo)志著雙方在新型閃存技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化合作，尤其在電源管理芯片產(chǎn)品方面的合作得到進(jìn)一步深化。
電源管理芯片是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對(duì)電能的變換、分配、檢測(cè)及其他電能管理的職責(zé)的芯片，用于近乎所有電子產(chǎn)品和設(shè)備中。根據(jù)Frost&Sullivan統(tǒng)計(jì)，2020年全球電源管理芯片市場(chǎng)規(guī)模約328.8億美元，2016年至2020年年復(fù)合增長(zhǎng)率為13.52%。其中以大陸為主的亞太地區(qū)是未來(lái)全球電源管理芯片最大的成長(zhǎng)動(dòng)力。NOR 閃存作為組成電源管理芯片的一部分，其大小、功耗和成本對(duì)電源管理芯片的大小、功耗和成本有著重要影響。傳統(tǒng)NOR閃存擁有讀取速度快、芯片內(nèi)可執(zhí)行代碼等優(yōu)勢(shì)，但傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的NOR閃存無(wú)法突破90nm柵極長(zhǎng)度的技術(shù)瓶頸，導(dǎo)致NOR閃存的記憶單元面積無(wú)法降低到10F2以下，使其芯片成本居高不下。
中天弘宇的研發(fā)團(tuán)隊(duì)在經(jīng)過(guò)十多年的持續(xù)研究，完成了對(duì)傳統(tǒng)NOR閃存機(jī)理和結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，其擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新型閃存創(chuàng)新技術(shù)，已被中國(guó)電子學(xué)會(huì)組辦的專家委員會(huì)鑒定為：在不改變現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的情況下突破閃存的縮微技術(shù)瓶頸，“在非易失存儲(chǔ)領(lǐng)域?qū)賴?guó)際首創(chuàng)技術(shù)”。其新型閃存技術(shù)應(yīng)用于90nmBCD工藝的電源管理芯片，突破了目前市場(chǎng)上電源管理芯片130-180nm的主流工藝制程水平，顯示出了明顯的能耗和成本優(yōu)勢(shì)，具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。
公司于2020年11月與中天弘宇簽署協(xié)議，就其新型閃存技術(shù)的共同開(kāi)發(fā)、產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用、IP共享等領(lǐng)域達(dá)成合作。此后，中天弘宇繼續(xù)推進(jìn)新型閃存技術(shù)的IP驗(yàn)證和專利申報(bào)工作，在2021年8月22日于上海舉辦的技術(shù)發(fā)布會(huì)上，中天弘宇向外界公布了運(yùn)用了其新型閃存技術(shù)的國(guó)內(nèi)某頭部代工廠商90nmBCD工藝平臺(tái)已經(jīng)通過(guò)產(chǎn)品流片驗(yàn)證的重大進(jìn)展。隨著中天弘宇I(lǐng)P驗(yàn)證和專利申報(bào)工作的逐項(xiàng)完成，結(jié)合公司戰(zhàn)略規(guī)劃和市場(chǎng)需求，英唐智控與中天弘宇進(jìn)一步在IP授權(quán)方面達(dá)成了合作并簽署了《專利授權(quán)許可合同》，合同約定英唐智控及其控股子公司、參股子公司可以使用授權(quán)專利技術(shù)用于開(kāi)發(fā)自己的芯片產(chǎn)品，授權(quán)使用費(fèi)總計(jì)1,000萬(wàn)元并將根據(jù)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)展分批支付，授權(quán)使用專利的期限為十年。通過(guò)專利授權(quán)方式，雙方將共同持續(xù)推動(dòng)新型閃存技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用進(jìn)程。
本次授權(quán)專利能夠解決傳統(tǒng)NOR閃存技術(shù)中漏極源極的穿通、有效溝道長(zhǎng)度無(wú)法縮減等問(wèn)題，提高存儲(chǔ)單元的使用壽命和編程效率的同時(shí)降低了功耗，可以滿足閃存產(chǎn)品體積更小、研發(fā)效率更高的需求，從而降低研發(fā)生產(chǎn)成本。英唐智控?cái)M以控股子公司英唐微技術(shù)、上海芯石、參股公司方為半導(dǎo)體的技術(shù)研發(fā)為基礎(chǔ)，借助中天弘宇在新型閃存方面的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，研發(fā)設(shè)計(jì)應(yīng)用于例如穿戴手環(huán)、智能手機(jī)、玩具、網(wǎng)通路由器、藍(lán)牙主芯片、網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)等領(lǐng)域相關(guān)的電源管理芯片產(chǎn)品。
新技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程往往不是一蹴而就的，它離不開(kāi)持續(xù)的投入和試錯(cuò)，離不開(kāi)合作伙伴的相互信任與支持。在為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)的共同目標(biāo)下，相信本次合作深化將能加速推進(jìn)新型閃存技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化和公司電源管理芯片產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)程，從而為未來(lái)提升公司競(jìng)爭(zhēng)力和盈利能力夯實(shí)基礎(chǔ)。
以下附表為本次英唐智控取得中天弘宇的授權(quán)專利：
